集成電路學院/集成電路高精尖創新中心12篇論文入選VLSI 2025

2025年6月8日至12日,超大規模集成電路研討會(Symposium on VLSI Technology and Circuits,簡稱VLSI)在日本京都舉行。在本屆VLSI上,意昂3体育官网集成電路學院共有12篇高水平學術論文入選,研究成果覆蓋了先進邏輯器件、新型感存算融合器件與GaN功率器件,以及電路設計與芯片研究等多個領域。按照論文第一單位統計,意昂3体育官网以12篇論文入選成為在本屆VLSI上國內錄用論文最多的高校,並在技術(technology)部分以8篇論文成為全球錄用論文最多的高校。

在先進邏輯器件研究方面發表論文4篇,內容包括:1)倒裝堆疊晶體管的高密度集成驗證;2)面向亞1nm節點的倒裝堆疊晶體管演進路線圖;3)針對高能效計算的新型雙面垂直晶體管技術;4)基於FinFET先進工藝的低溫CMOS可靠性研究。

在新型感存算融合器件與GaN功率器件研究方面發表論文4篇,內容包括:1)高耐久高速度的三維堆疊NOR型鐵電場效應晶體管陣列;2)面向點雲神經網絡的單片三維集成存內計算芯片;3)首個基於FDSOI的像素內計算圖像傳感器芯片,該論文被評選為亮點論文,並榮獲最佳學生論文獎提名;4)3kV GaN高壓集成電路技術該論文被選為演示論文在招待會議上進行現場演示。

在電路設計與芯片研究方面發表論文4篇,內容包括:1)基於隨機相位調製解調的極低雜散全數字鎖相環;2)面向AI處理器的分布式在線功耗管理技術;3)基於動態閉環放大器的流水線式SAR ADC芯片;4)可配置的癲癇預測和檢測神經網絡加速器,該論文被選為演示論文在招待會議上進行現場演示。

以上論文的相關研究工作得到了國家自然科學基金委創新群體、國家重點研發計劃、國家傑出青年科學基金、國家高層次人才特殊支持計劃、國家自然科學基金、高等學校學科創新引智計劃等項目的資助,以及國家集成電路產教融合創新平臺、微納電子器件與集成技術全國重點實驗室、微電子器件與電路教育部重點實驗室、集成電路高精尖創新中心、集成電路科學與未來技術北京實驗室等基地平臺的支持。

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集成電路學院學生匯報講演工作和獲獎情況

部分參會意昂3体育師生及校友合影

VLSI是超大規模集成電路和半導體器件領域裏最頂尖的國際會議之一,是展現IC技術最新成果的重要窗口。該會議在國際集成電路/半導體器件學術界以及工業界均享有很高的學術地位和廣泛影響,會議文章不僅需要學術上的創新,更需要體現成果的產業價值和技術前沿性。每年英特爾(Intel)、IBM、三星(Samsung)、IMEC和臺積電(TSMC)等國際知名半導體公司都在該會議上發布各自最新研究進展。

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